Бурное развитие полупроводниковой техники во второй половине ХХ века привело к тому, что в программу физики средней общеобразовательной школы была включена тема «Проводимость полупроводников» (начало 1960-ых). При изложении этой темы исключительное значение имел эксперимент. Комплект полупроводниковых приборов (рис. 1), разработанный научным сотрудником АПН В.А. Буровым в период 1958-1960 гг., позволяет поставить демонстрации, раскрывающие не только свойства полупроводников, но познакомить с работой полупроводниковых устройств (выпрямители, усилители, генераторы) и в первую очередь с применением термо и фото сопротивлений. Полное описание приборов и демонстраций с их применением дано на страницах 150-204 второго тома «Демонстрационный эксперимент по физике в старших классах средней школы»,1972 г.

Рисунок 1. Комплект полупроводниковых приборов (слева-направо): термистор, фоторезистор, фотоэлемент, термоэлемент, диоды, транзистор. Изготовлен в 1976 году на заводе «Электродело», Ленинград.

Назначение полупроводниковых приборов для демонстраций

Название прибора	Явления, свойства
Термистор ММТ-4	Зависимость сопротивления полупроводников от температуры и техническое применение этого явления.
Фоторезистор ФС-К1	Зависимость сопротивления полупроводников от освещенности и техническое применение этого явления в фотоэлектронной автоматике.
Фотоэлемент селеновый СФ-10	Возникновение фото-э.д.с. при освещении электронно-дырочного перехода.
Термоэлемент	Виды проводимости полупроводников и термоэлектрических явлений, возникающих в электронно-дырочном переходе.
Диоды германиевые, плоскостные Д7Ж	Односторонняя проводимость электронно-дырочного перехода и практического применения этого свойства для выпрямления переменного тока.
Транзистор германиевый, плоскостной П14	Усиление, детектирование и генерирование электрических колебаний.

Набор полупроводниковый НПП-2

Набор предназначается для демонстрации основных электрических свойств полупроводниковых материалов и полупроводниковых систем с p-n переходом. В набор входят пластины, покрытые слоем открытого или закрытого селена в кристаллическом или аморфном состоянии; элементы выпрямительные; панель - держатель пластин и элементов, изготовленный из текстолита (рис.2)

Рисунок 2. Некоторые детали набора слева-направо: держатель с диодом; пластина с закрытым слоем аморфного селена для демонстрации изоляционных свойств; пластина с открытым слоем кристаллического селена предназначена для демонстрации внешнего вида поликристаллического селена; пластина изоляционная с открытым слоем кристаллического селена предназначена для демонстрации зависимости объемных свойств селена внешних факторов. Пластины квадратные со стороной 100 мм.

С помощью набора можно показать более 10 демонстраций.

Зависимость электропроводности селена от:	Основные свойства электронно-дырочного перехода
- температуры - освещения - механических деформаций - структуры - примесей	- односторонняя проводимость, - особенность вольтамперной характеристики и нелинейность, - влияние внешних факторов на характеристики p-n перехода, - преобразование лучистой энергии в электрическую

Руководство по эксплуатации здесь.
Набор изготовлен в 1981 году на заводе полупроводниковых приборов, г. Йошкар-Ола.